تقویت کنندۀ کم نویز با بار القایی فعالCMOS
محورهای موضوعی : مهندسی الکترونیک
بابک غلامی
1
(دانشگاه آزاد اسلامی واحد کازرون)
شهریار بازیاری
2
(برق منطقه ای هرمزگان)
خشایار بازیاری
3
(دانشگاه آزاد اسلامی واحد شیراز)
کلید واژه: low noise, القاگر فعال, کم نویز, تقویت کننده, Active inductor, amplifier,
چکیده مقاله :
در این مقاله یک تقویت کنندۀ کم نویز CMOS گیت مشترک با بار القایی فعال ارائه شده است. برای مقادیر بزرگ اندوکتانس ، یک القاگر غیر فعال روی تراشه نیازمند مساحت قابل ملاحظه ایی از تراشه می باشد و ضریب کیفیت آن محدود می باشد. وضعیتی که می تواند به صورت غیر عملی در نظر گرفته شود. بنابراین هدف این کار جستجوی احتمال استفاده از القاگرهای فعال در مدارهای RF بعنوان جانشینی برای همتای غیرفعال آنها است. بعلاوه این القاگر فعال قابلیت برنامه ریزی دارد.امکان طراحی یک تقویت کننده با فرکانس مرکزی قابل برنامه ریزی وجود دارد. همچنین نشان داده می شود که با طراحی مناسب و بهینه سهم نویز القاگر فعال می تواند کمینه شود.شبیه سازی HSPICE با استفاده از تکنولوژی 0.35µm نشان داد که تقویت کننده ما دارای محدوده تنظیم نیم دهه برای فرکانس مرکزی 1GHZ است.بهره ، عدد نویز و توان مصرفی شبیه سازی شده به ترتیب برابر 20dB ،3.65dB ، 14mw است.
This article presents a common low-noise CMOS gate amplifier with active induction load. For large amounts of inductance, a passive inductor on the chip requires a significant area of the chip and its quality factor is limited. A situation that can be considered impractical. Therefore, the purpose of this work is to search for the possibility of using active inductors in RF circuits as a substitute for their inactive counterpart. In addition, this active inducer is programmable. It is possible to design an amplifier with a programmable central frequency. It is also shown that with proper and optimal design, the contribution of active inductor noise can be minimized. HSPICE simulation using 0.35 µm technology showed that our amplifier has a half-decade tuning range for 1GHz. The gain, noise number and power consumption of the simulated are 20dB, 3.65dB, 14mw, respectively.
