مقایسه روش‌های مختلف ساخت و پوشش دهی نانوذرات مغناطیسی اکسید آهن با روش هم رسوبی

الموضوعات :

محمدرحیم طالب تاش ¹ , ابوالفضل خدادادی ² , محمدرضا نیازیان ³

1 - عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد شهریار، شهریار، ایران
2 - عضو هیات علمی گروه فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران شمال، تهران، ایران
3 - عضو هیات علمی گروه فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد آیت الله آملی، آمل، ایران

تاريخ الإرسال : 21 السبت , جمادى الأولى, 1443 تاريخ التأكيد : 23 الأحد , رجب, 1445 تاريخ الإصدار : 24 الأربعاء , جمادى الثانية, 1446

الکلمات المفتاحية: نانوذرات مغناطیسی, روش هم رسوبی, مغناطیس اشباع, پسماند مغناطیسی, نیروی بازدارندگی,

ملخص المقالة :

در این مطالعه نانوذرات مغناطیسی اکسید آهن با روش‌های مختلف سنتز و پوشش دار شدند. در بین روش‌های مختلف ، روش هم رسوبی بهینه سازی مورد توجه قرار گرفت. نتایج روش هم رسوبی با نتایج روش‌هایی همچون سل ژل، هیدرو ترمال، الکتروشیمیایی، امولسیون مورد مقایسه قرار گرفت. برای مقایسه بین روش‌های مختلف، از آنالیزهایی همچون XRD FTIR، TEM و VSM استفاده شد. نتایج مطلوب حاصل از طیف‌های انجام شده در روش هم رسوبی بهینه سازی، گویای برتری روش بکار گرفته شده در مقایسه با سایر روش‌ها بود. بدین ترتیب که در این روش می‌توان با صرف کمترین هزینه، بهترین مغناطیس اشباع را با کوچک‌ترین اندازه، همراه با بازدارندگی ناچیز بدست آورد. به طوری که در این تحقیق مقدار اندازه نانوذرات پوشش دار شده برابر با 10 نانومتر و مغناطش اشباع برابر با (emu/gr) 98/60 و مقدار نیروی بازدارندگیG26/8 تعیین گردید. همچنین عامل پوششی PEG در مقایسه با عامل پلیمری PVA به واسطه ی پیوند هیدروژنی قوی‌تر، برهمکنش بهتری با سطح نانو ذرات مغناطیسی ایجاد کرده و پوشش مناسب‌تری را به وجود می‌آورد. در ضمن انجام فرآیند سنتز در دمای بالا به سبب انجام کامل واکنش‌ها نتایج مطلوب تری به همراه دارد.