اثر ناخالصی منگنز بر لایه میانی ساختار شاتکی Al/PVP: CdS/p-Si و خواص دی الکتریکی آن
الموضوعات : فصلنامه علمی - پژوهشی مواد نوین
زکیه حسینی
1
(گروه فیزیک، واحد تبریز، دانشگاه آزاد اسلامی، تبریز، ایران)
یاشار عزیزیان کلاندرق
2
(گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه محقق اردبیلی، اردبیل، ایران)
صمد سبحانیان
3
(گروه فیزیک، واحد تبریز، دانشگاه آزاد اسلامی، تبریز، ایران)
محمد کوهی
4
(گروه فیزیک-دانشگاه آزاد اسلامی واحد تبریز)
غلامرضا پیرقلی گیوی
5
(گروه علوم مهندسی، دانشکده فناوری های نوین، دانشگاه فناوری های نوین سبلان، نمین، ایران)
الکلمات المفتاحية: ثابت دی الکتریک, پارامترهای دی الکتریکی, اندازهگیری C/G-f, تانژانت اتلافی, رسانندگی الکتریکی,
ملخص المقالة :
در این تحقیق نانوساختارهای کادمیوم سولفید(CdS) و کادمیوم سولفید آلاییده شده با cc 3 منگنز به روش فراصوت تهیه شده و از آن جهت تهیه نانوکامپوزیت PVP: CdS و PVP: CdS -3cc Mn به عنوان لایه میانی در ساخت ساختار شاتکی فلز-پلیمر-نیمرسانا(MPS) استفاده شده است. خواص ساختاری، ریخت شناسی، میزان خلوص و خواص اپتیکی نانوساختارهای تهیه شده توسط آنالیزهای XRD، SEM، EDX و UV-Vis مورد بررسی قرار گرفتهاند. نتایج الگوی پراش پرتو ایکس نمونه CdS تشکیل فاز مکعبی کادمیوم سولفید را تایید کرده و اندازه میانگین نانوبلورکهای آن برابر nm 6 به دست آمد. آنالیز EDX هر دو نمونه، فاز خالص نانوساختارهای تهیه شده را تایید کرد. گاف انرژی نانوساختارها از طریق نمودار گاف انرژی محاسبه شد که مقدار آن برای نانوساختارهای CdS و CdS -3cc Mn به ترتیب برابر eV 4.2 و eV 3.6 به دست آمد که به دلیل اصل محدود شدگی کوانتومی از مقدار بالکی آن (eV 2.5) بزرگتر میباشد. پارامترهای دیالکتریکی از قبیل ɛ′، ɛ″ و tan δ ساختارهای شاتکی Al/PVP: CdS/p-Si (MPS1) و Al/PVP: CdS -3cc Mn /p-Si (MPS2) از طریق اندازهگیری C/G-f در محدوده بسامدی MHz 1- Hz 100 محاسبه و باهم مقایسه شدند. نتایج نشان دادند پارامترهای دیالکتریکی به شدت تابع بسامد هستند. همچنین آلایش نانوساختارهای کادمیوم سولفید با مقدار بسیار کم منبع منگنز موجب کاهش ثابت دی الکتریک، ضریب رسانش، و افزایش تانژانت اتلافی ساختار شاتکی MPS2 در مقایسه با MPS1 میشود.
_||_