طراحی و ساخت ساختار فلز- اکسید- نیمه هادی به روش لایه نشانی الکتروشیمیایی
الموضوعات :
1 - باشگاه پژوهشگران جوان دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
الکلمات المفتاحية: semiconductor, Electrochemical, پیوند MOS, لایه نشانی, الکتروشیمیایی, نیمه هادی, MOS bonding, address layer,
ملخص المقالة :
تولید پیوند فلز- عایق- نیمه هادی MOS به روش فلزنشانی الکتروشیمیایی گزارش گردیده است. برای انجام کار ابتدا مفتولی از جنس نیکل- کروم را در محیط های الکترولیت مناسب قرار داده و با اعمال ولتاژ، بترتیب لایه های نازک آلومینیوم و فلز روی بر سطح آن نشانده شد . در مرحله بعد لایه های حاصل در دمای 400 درجه سانتیگراد در معرض هوا اکسید گردید تا لایه های اکسید آلومینیوم به عنوان عایق و اکسید روی به عنوان نیمه هادی تشکیل گردد. با بررسی منحنی آرنیوس ضمن تأیید نیمه هادی بودن لایه اکسید روی فاصله ترازهای انرژی ناخالصی از تراز هدایت آن 18/0 ولت به دست آمد. همچنین با بررسی منحنی C-V در خازن MOS حاصله، ضمن تأیید تشکیل پیوند فلز- عایق- نیمه هادی، ولتاژ آستانه آن حدود 75/2 ولت بدست آمد. این فعالیت خصوصاً نشاندن لایه هایی از مواد مختلف به عنوان روش نو قابل عرضه است.
