حذف وتعیین سرب (II) با استفاده از دیسک‌های نانو مغناطیسی اصلاح شده اکتادسیل سیلیکا با دی اکتیل فتالات با روش اسپکتروسکوپی جذب اتمی

الموضوعات : شیمی کوانتومی و اسپکتروسکوپی

علی مقیمی ¹ (هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد ورامین -پیشوا، دانشکده علوم پایه ، گروه شیمی)
میلاد آبنیکی ² (دپارتمان شیمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد ورامین- پیشوا)
مهناز قمی ³ (دانشکده علوم پایه، گروه شیمی، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد علوم پزشکی)

تاريخ الإرسال : 22 الإثنين , ربيع الثاني, 1442 تاريخ التأكيد : 13 الأربعاء , ذو القعدة, 1442 تاريخ الإصدار : 06 السبت , ربيع الثاني, 1442

الکلمات المفتاحية: پیش تغلیظ فلزات سنگین, اثرات یون تداخلی, استخراج, دیسک‌های نانو مغناطیسی,

ملخص المقالة :

در این مطالعه فرآیندی سریع و آسان به منظور حذف و تعیین کمی از یون های سرب (II) با استفاده از دیسک‌های نانومغناطیسی اکتادسیل سیلیکا که توسط نانوذرات اکسید آهن همراه با دی اکتیل فتالات اصلاح شده و به صورت مغناطیسی درآمده است وبا روش اسپکتروسکوپی جذب اتمی انجام شده است. این فرایند با ایجاد یک کمپلکس در سطح دیسک ENVI-18 انجام شده است و برای استخراج گونه‌های جذب شده در سطح دیسک حداقل مقدار حلال های آلی استفاده شده است. شویش دیسک‌ها در این روش قابل توجه و کمی است. در این تحقیق اثرات یون مزاحم، pH، مقدار لیگاند، حلال شویشی مناسب و سرعت جریان نمونه نیز مورد مطالعه قرار گرفت. پس از انجام فاکتورهای بهینه‌سازی به منظور جذب، حجم حلال تا حدود 900 میلی لیتر بدست آمد. بیشترین ظرفیت جذبی برای جاذب مطالعه شده به منظور جذب یون‌های سرب (II) 370 میکروگرم بدست آمده است. حد تشخیص برای این روش با مقداری قابل قبول برای یون‌های سرب (II) بدست آمده است. این روش برای استخراج و بازیابی سرب (II) در نمونه‌های مختلف آبی استفاده شد.