طراحی و شبیه سازی تقویت‏کننده توان دوهرتی 20 وات در فرکانس 2.14 گیگاهرتر برای سیستمهای ارتباطی بی سیم

الموضوعات :

شعبان رضائی برجلو ¹ (استادیار - دانشکده مهندسی برق،واحد آشتیان، دانشگاه آزاد اسلامی، آشتیان، ایران)
حسین علی باقری ² (دانشجوی دکتری - دانشکده مهندسی برق، واحد آشتیان، دانشگاه آزاد اسلامی، آشتیان، ایران)

تاريخ الإرسال : 23 الإثنين , ربيع الأول, 1439 تاريخ التأكيد : 10 الأحد , رجب, 1440 تاريخ الإصدار : 16 الأحد , شعبان, 1440

الکلمات المفتاحية: بازدهی, بهره توان, تکنولوژی GaAs-pHEMT, تقویت‏ کننده دوهرتی,

ملخص المقالة :

در این پژوهش، یک تقویت کننده توان دوهرتی متقارن در فرکانس 2.14GHz با بازدهی توان بالا و توان خروجی 20 وات طراحی و شبیه سازی شده است. این تقویت کننده توان برای استفاده در قسمت بلوک تقویت کننده توان یک فرستنده مخابرات بی سیم WCDMA ارائه شده است. این تقویت کننده توان از دو تقویت کننده تشکیل شده است. تقویت کننده توان اصلی که در کلاس AB و تقویت کننده توان کمکی که در کلاس C طراحی شده اند. برای تقسیم توان بین هر دو تقویت کننده بصورت مساوی از یک مقسم توان ویلکینسون متقارن استفاده شده است. در نهایت با استفاده از روش مدولاسیون بار یک ترکیب کننده مناسب توان برای ترکیب مناسب خروجی دو تقویت کننده، طراحی و شبیه سازی شده است. با استفاده از ترانزیستور MRFG351010 بعنوان یک قطعه فعال با تکنولوژی GaAs-pHEMT حداکثر توان خروجی 20 وات در حداکثر بازدهی 65.46% و بهره توانی 8.56dB حاصل شده است. حداکثر توان خروجی و حداکثر بازدهی تقویت کننده توان، در ناحیه اشباع ترانزیستور با 6dB(OBO) به ترتیب برابر با 36dBm و 25.3% بدست آمده است.

المصادر:

[1] C. Paolo, F. Giannini, R. Giofre, and L. Piazzon. "The Doherty power amplifier." Advanced Microwave Circuits and Systems, 2010.

[2] T. Torii, S. Imai, H. Maehara, T. Kunii, T. Morimoto, A. Inoue, "60% PAE, 30W X-band and 33% PAE, 100W Ku-band PAs utilizing 0.15 μm GaN HEMT technology", Proceeding of the IEEE/EuMC, London, UK, 2016.

[3] S. Rezaei Borjlu, D. Asemani, M. Dousti, "A highly efficient concurrent dual‐band GaN class‐AB power amplifier at 1.84 GHz and 3.5 GHz." International Journal of RF and Microwave Computer ‐Aided Engineering , Vol.27, No.9, 2017.

[4] S. Rezaei Borjlu, D. Asemani, M. Dousti, "Concurrent dual-band Doherty power amplifier using a novel dual-band bandpass filter for wireless technologies", Analog Integrated Circuits and Signal Processing, Vol. 96, No. 3,  395-408, 2018.

[5] Y. Komatsuzaki, K. Nakatani, S. Shinjo, S. Miwa, R. Ma, K. Yamanaka, “3.0–3.6 GHz wideband, over 46% average efficiency GaN Doherty power amplifier with frequency dependency compensating circuits", Proceeding of the IEEE/PAWR, pp. 22-24, 2017.

[6] C. Huang, S.  He, Z. Dai, J. Pang, Z. Hu, “A 80W high gain and broadband Doherty power amplifier for 4/5G wireless communication systems", Proceeding of the IEEE/IMS, San Francisco, CA, USA, 2016.

[7] P. Guo, W. Kong, J. Xia, L. Yang, "Wideband doherty power amplifier using suitable peaking output matching network", Proceeding of the IEEE/APMC, Vol. 1, Nanjing, China, 2015.

[8] Y. Yutaro, et al. "A CW 20W Ka-band GaN high power MMIC amplifier with a gate pitch designed by using one-finger large signal models", Proceeding of the IEEE/CSICS, Miami, FL, USA, 2017.

[9] P. Saad, P. Colantonio, L. Piazzon, F. Giannini, K. Andersson, C. Fager, "Design of a concurrent dual-band 1.8–2.4-GHz GaN-HEMT doherty power amplifer", IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, Vol. 60, No. 6, June 2012.

[10] M.M. Tarar; "Design and implementation of an asymmetric doherty power amplifier at 2.65 GHz in GaN HEMT technology", Institutionen for systems engineering Department of Electrical Engineering, Degree project carried out in Electronic Components at the Linköoping Institute of Technology,seweden, 19 September, 2011.