فهرس المقالات Tunneling حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 1 - Investigating the effect of geometrical asymmetry on conductance and TMR ratio in the ZnO rock salt-based MTJ: a DFT study Masoud Ansarino 10.1007/s40094-020-00380-7 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 2 - ارائه مدل توسعه‌یافته بنیش با به‌کارگیری پدیده تونلینگ بر مبنای تکنیک شبکه‌های عصبی مصنوعی و الگوریتم بهینه‌سازی حرکت تجمعی ذرات در شناسایی شرکت‌های دستکاری کننده سود فرهاد آزادی مهرداد قنبری بابک جمشیدی نوید جواد مسعودی حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 3 - Investigation of the Structural and Electrical Properties of Star Shape Manganese Thin Films with 3-fold and 4-fold Symmetries Fatemeh Abdi حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 4 - بررسی تئوری توتومریزاسیون 3-Amino-1H-1,2,4-Triazol-5(4H)-One با استفاده از محاسبات کوانتومی به روش DFT بهزاد چهکندی حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 5 - بررسی توتومریزاسیون (C-O) یکی از مشتقات فلوسیتوزین با استفاده از روش DFT بهزاد چهکندی حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 6 - Design and Realization of a Junction-less TFET for Analog and Digital Applications Based on Strain Engineering Fayzollah Khorramrouze Seyed Ali Sedigh Ziabari Ali Heydari 10.30486/mjtd.2022.695917 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 7 - تخمین ضریب بهره وری ماشین حفر تونل(TBM) با استفاده از شبکه عصبی مصنوعی حمیدرضا نجاتی مرتضی احمدی حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 8 - An innovative method for estimating optimal Gate work function and dielectric constant of a nanoscale DG-TFET based on analytical modeling of tunneling length in ambipolar, Off and ON states Ali Heydari Seyed Ali Sedigh Ziabari Fayzollah Khorramrouz 10.22034/jna.2020.1881749.1166 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 9 - A Feasibility Study of Vertical Dual Channel Extended Source Schottky Barrier MOSFET as a Highly Sensitive Biosensor Mahshid Farahzadi Zahra Ahangari حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 10 - An innovative method for estimating optimal Gate work function and dielectric constant of a nanoscale DG-TFET based on analytical modeling of tunneling length in ambipolar Off and ON states Fayzollah Khorramrouz Seyed Ali Sedigh Ziabari Ali Heydari 10.22034/jna.2021.685452 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 11 - An innovative method for estimating optimal Gate work function and dielectric constant of a nanoscale DG-TFET based on analytical modeling of tunneling length in ambipolar, Off and ON states Fayzollah Khorramrouz Seyed Ali Sedigh Ziabari Ali Heydari 10.22034/jna.2020.680049 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 12 - A Review of Single Electron Transistors Yaghoob Mohammadmoradi Nader Javadifar Atila Skandarnezhad حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 13 - Performance Analysis of InAs/AlGaSb Heterojunction Electron-Hole Bilayer Tunnel Field Effect Transistor for Low-Power High-Speed Digital Computing Zahra Ahangari 10.30495/ijsee.2023.1988303.1268 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 14 - بررسی تاثیر انگیزه تونل زنی، دارایی های نامشهود و سودآوری بر قیمت گذاری انتقالی علی خشنود عباسعلی حق پرست رضا ستوده حبیب پیری حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 15 - بررسی اثر دمای عملیات حرارتی بر ساختار و رفتار خوردگی آلیاژ نانوشبه بلور Al72Ni13Cr15 تولید شده به روش آلیاژسازی مکانیکی میثم امینی رسول امینی محمد مهدی سروگلوی حقیقی فرد مرتضی علیزاده محمد علی زارع زهرا نعمتی حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 16 - Performance Optimization of an Electrostatically Doped Staggered Type Heterojunction Tunnel Field Effect Transistor with High Switching Speed and Improved Tunneling Rate Mahdi Mohammadkhani Ghiasvand Zahra Ahangari Hamed Nematian 10.30495/jopn.2022.29617.1249 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 17 - Analysis and Simulation of the Schottky Junction Using an Ensemble Monte Carlo Model Fatemeh Haddadan Mohammad Soroosh Ramakrishnan Rajasekar حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 18 - Effects of the Channel Length on the Nanoscale Field Effect Diode Performance arash rezaei Bahram Azizollah-Ganji Morteza Gholipour حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 19 - Switching Performance of Nanotube Core-Shell Heterojunction Electrically Doped Junctionless Tunnel Field Effect Transistor Zahra Ahangari حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 20 - Controlling Ambipolar Current in a Junctionless Tunneling FET Emphasizing on Depletion Region Extension Morteza Rahimian 10.30495/jopn.2023.31255.1274 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 21 - Voltage Difference Technique in Junctionless Tunneling FET for Suppression of Ambipolar Conduction Morteza Rahimian 10.30495/jopn.2023.32088.1294
