مطالعه تاثیر پارامترهای ساخت بر عملکرد افزاره نانومتری DG-SOIMOSFETS در ناحیه زیر آستانه

Subject Areas : Communication

فاطمه کهنی ¹ , حامد نعمتیان ² , مرتضی فتحی پور ³

1 -
2 -
3 -

Received: 2010-08-11 Accepted : 2010-12-11 Published : 2010-03-01

Keywords: افزاره DG-SOI MOSFET, خازن های لبه‌ای, مشخصه الکتریکی, مقیاس نانو, ناحیه زیر آستانه,

Abstract :

 در این مقاله، تاثیر پارامترهای ساخت، بویژه ضخامت بدنه، طول سورس/درین و ضخامت اکسید گیت، بر روی مشخصه­های الکتریکی افزاره نانومتری ماسفت دو گیتی سیلیکان بر روی عایق (DG- SOI MOSFET)، در ناحیه زیر آستانه بررسی شده است. تحلیل­های عددی نشان می­دهند، اگرچه با کاهش طول سورس و درین، تغییر چندانی در میزان جریان حالت روشن و نیز اثر کاهش ارتفاع سد پتانسیل توسط درین (DIBL) مشاهده نمی­شود، اما خازن موثر گیت بطور چشمگیری کاهش می­یابد. کاهش ضخامت بدنه منجر به کاهش سد پتانسیل و افزایش خازن موثر گیت می­شود، در حالیکه جریان حالت روشن افزاره کاهش می­یابد. بررسی­های انجام شده بر روی ضخامت اکسید گیت (Tox) حاکی از آن است که افزایش Tox باعث کمتر شدن خازن موثر گیت می شود. از طرفی با کاهش Tox، جریان افزاره کاهش می­یابد، لیکن نسبت ION/IOFF افزایش می­یابد.