طراحی و ساخت ساختار فلز- اکسید- نیمه هادی به روش لایه نشانی الکتروشیمیایی
محورهای موضوعی : مهندسی الکترونیک
عاطفه چاهکوتاهی
1
(باشگاه پژوهشگران جوان دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر)
کلید واژه: semiconductor, Electrochemical, پیوند MOS, لایه نشانی, الکتروشیمیایی, نیمه هادی, MOS bonding, address layer,
چکیده مقاله :
تولید پیوند فلز- عایق- نیمه هادی MOS به روش فلزنشانی الکتروشیمیایی گزارش گردیده است. برای انجام کار ابتدا مفتولی از جنس نیکل- کروم را در محیط های الکترولیت مناسب قرار داده و با اعمال ولتاژ، بترتیب لایه های نازک آلومینیوم و فلز روی بر سطح آن نشانده شد . در مرحله بعد لایه های حاصل در دمای 400 درجه سانتیگراد در معرض هوا اکسید گردید تا لایه های اکسید آلومینیوم به عنوان عایق و اکسید روی به عنوان نیمه هادی تشکیل گردد. با بررسی منحنی آرنیوس ضمن تأیید نیمه هادی بودن لایه اکسید روی فاصله ترازهای انرژی ناخالصی از تراز هدایت آن 18/0 ولت به دست آمد. همچنین با بررسی منحنی C-V در خازن MOS حاصله، ضمن تأیید تشکیل پیوند فلز- عایق- نیمه هادی، ولتاژ آستانه آن حدود 75/2 ولت بدست آمد. این فعالیت خصوصاً نشاندن لایه هایی از مواد مختلف به عنوان روش نو قابل عرضه است.
Production of metal-insulation-semiconductor MOS bond by electrochemical metallurgy method has been reported. To do the work, first a nickel-chromium wire was placed in a suitable electrolyte medium and by applying voltage, thin layers of aluminum and zinc metal were placed on its surface, respectively. In the next step, the resulting layers were oxidized in air at 400 ° C to form aluminum oxide layers as insulation and zinc oxide as semiconductors. By examining the Arrhenius curve while confirming that the oxide layer is semiconductor, the distance between the impure energy levels and its conductivity level was 0.18 volts. Also, by examining the C-V curve in the resulting MOS capacitor, while confirming the formation of metal-insulation-semiconductor bond, its threshold voltage was about 2.75 volts. This activity, especially the placement of layers of different materials can be offered as a new method.
