طراحی وشبیه سازی تقویت کننده کم نویز (LNA) کاملاً مجتمع کم‌توان با تکنولوژی0.18 µm CMOS در فرکانس‌های 9/1 و 9/0 گیگا هرتز
محورهای موضوعی : مهندسی الکترونیک
ابراهیم عبیری جهرمی
1
(دانشگاه صنعتی شیراز)
رضیه سلطانی سروستانی
2
(دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر ، بوشهر، ایران)
کلید واژه: دژنراسیون سلفی, عدد نویز, نقطه برخورد مرتبه سوم (IIP3), SELF DEGENERATION, NOISE NUMBER, THIRD ORDER POINT OF MEALING (IIP3),
چکیده مقاله :
دو پارامتر مهم که در طراحی تقویت کننده کم نویز( LNA) باید به آن توجه کرد توان مصرفی پائین و عدد نویز کم می‌باشد. از مشکلات دیگر طراحی می‌توان به چگونگی ایجاد مقاومت 50 اهم پایدار در ورودی برای تطبیق امپدانس و هم زمان بالا بردن بهره نام برد. همچنین نحوه خطی سازی در محدوده وسیعی از فرکانس کاری، از مسائل مهمی است که باید به آن توجه کرد. با استفاده از ساختار دژنراسیون سلفی در پروسه 0.18 µm CMOS خواسته های مورد نظر تأمین می شود. مدار پیشنهادی در این مقاله، عدد نویز کمتر از 2.5db و توان مصرفی کمتر از 4mw را در فرکانس 9/1 و عدد نویز کمتر از 0.7db و توان مصرفی کمتر از 0.9mwرا در فرکانس 9/0 گیگاهرتز، تطبیق امپدانس ورودی و خروجی 50 اهم و خطی سازی مناسب در هر دو فرکانس را نتیجه می دهد.
Two important parameters that should be considered in the design of a low noise amplifier (LNA) are low power consumption and low noise number. Other design problems include how to create a stable 50 ohm resistor at the input to adjust impedance while increasing gain. Also, how to linearize over a wide range of operating frequencies is an important issue to consider. Using the structure of selfie degeneration in the 0.18 µm CMOS process, the desired requirements are met. The circuit proposed in this paper has a noise number of less than 2.5db and power consumption of less than 4mw at a frequency of 1.9 and a noise number of less than 0.7db and power consumption of less than 0.9mw at a frequency of 0.9 GHz, matching the input impedance and Outputs 50 Ohms and results in proper linearization at both frequencies.
