هدف پژوهش، تعیین میزان اثربخشی آموزش ذهنآگاهی بر تصویر بدن، تکانشگری و سازگاری اجتماعی در دختران چاق بود. روش پژوهش، نیمهآزمایشی، پیش آزمون-پس آزمون همراه با گروه کنترل بود. جامعه آماری، دختران نوجوان چاق شهرستان نجف آباد در نیمه اول سال 1397 بود. ابتدا تعداد 30 نفر از دانش آموزان دختر مقطع متوسطه 1 و2 با دامنه سنی 14 تا 18 سال که بر طبق معیار شاخص توده بدنی (BMI) چاق محسوب می‌شدند، بصورت هدفمند انتخاب و سپس بطور تصادفی در دو گروه کنترل و آزمایش (هرگروه 15نفر) جایگزین شدند. هر دو گروه سه پرسشنامه روابط چندبعدی بدن (Cash, 1990)، پرسشنامه تکانشگری بارت (Patton,Stanford & Barratt,1995) و پرسشنامه سازگاری اجتماعی کالیفرنیا (Thorpe, Clark & Tiegs, 1939) را قبل از آموزش تکمیل نمودند. سپس گروه آزمایش تحت آموزش ذهن‌آگاهی (8جلسه‌ی 90 دقیقه‌ای) قرار گرفت و گروه کنترل هیچ مداخله ای دریافت نکرد. بعد از اتمام آموزش، پرسشنامه ها توسط هر دو گروه تکمیل شد. داده ها با استفاده از نرم افزارSPSS 21 با تحلیل کوواریانس تجزیه و تحلیل شد. یافته ها نشان داد که بین گروه های آزمایش و کنترل در متغیرهای تصویر بدن، تکانشگری و سازگاری اجتماعی تفاوت معناداری وجود داشت (01/0 P<). همچنین مقایسه میانگین ها در نمرات پس آزمون مولفه گرایش ضد اجتماعی، نشان داد که گروه آزمایش نمرات بالاتری را نسبت به گروه کنترل کسب کرده است و نشان می دهد که گروه آزمایش بعد از آموزش ذهن آگاهی، در مولفه گرایش ضد اجتماعی، سازگاری و عملکرد بهتری داشته است. بنابراین آموزش ذهن‌آگاهی می‌تواند در بهبود تصویر بدن، تکانشگری و سازگاری اجتماعی دختران نوجوان چاق موثر واقع شود. تفاصيل المقالة

با توجه به آن‌که مواد کربنی از جمله گرافیت به طور گسترده در ساختارهای دمای بالا مورد استفاده قرار گرفته‌اند؛ اما مشکل اصلی آن‌ها، شروع اکسیداسیون از دمای حدود °C400 در محیط اکسیدی می‌باشد، بهترین روش برای تقویت مقاومت به اکسیداسیون گرافیت، استفاده از کاربید سیلیسیم با ساختار تدریجی است که به دلیل پایداری حرارتی مناسب و تطابق فیزیکی، شیمیایی و ضریب انبساط حرارتی مناسب با زیرلایه کربنی کاربرد گسترده‌ای یافته است. در پژوهش حاضر به دلیل مزایایی نظیر هزینه کم‌تر، سهولت بکارگیری و قابلیت صنعتی‌سازی، روش سمانتاسیون بسته‌ای در دمای °C1600 برای تشکیل پوشش SiC تدریجی بکار گرفته شد. آنالیز پراش اشعه ایکس (XRD) و تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) نشان می‌دهد که پوشش حاصل به صورت تدریجی تشکیل یافته و شامل فاز α-SiC و β-SiC با تراکم مناسب می‌باشد. مکانیزم تشکیل پوشش SiC بر گرافیت با آنالیز ترمودینامیکی و محاسبات تعادل شیمیایی حاصل از نرم‌افزار HSC Chemistry 6.0 تشریح می‌شود. مکانیزم مسیر واکنشی نشان می‌دهد، در مراحل ابتدایی واکنش، فازهای گازی SiO و CO طی واکنش Al₂O₃ با Si و C تشکیل شده و دو واکنش‌ Si+CàSiC و SiO(g)+2CàSiC+CO(g) به عنوان واکنش‌های اصلی تشکیل پوشش معرفی می‌شوند. نتایج نشان می‌دهد که ترکیب مواد اولیه در روش سمانتاسیون بسته‌ای تأثیر زیادی بر ساختار پوشش کاربیدسیلیسیم ندارد و در نهایت نتایج تجربی، نتایج حاصل از شبیه‌سازی را تأیید می‌کند. در واقع، پژوهش حاضر روشی را برای تحلیل و شبیه‌سازی واکنش‌های سمانتاسیون بسته‌ای با نرم‌افزار ترمودینامیکی HSC Chemistry  ارائه می‌دهد و در نهایت نتایج حاصل از شبیه‌سازی با نتایج تجربی تأیید شد. تفاصيل المقالة