فهرس المقالات GaAs

• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  1 - Modeling at the nanometric scale of interfacial defects of a semiconductor heterostructure in the isotropic and anisotropic cases for the study of the influence of stresses.
  Ahmed  Boussaha Rafik Makhloufi Rachid  Benbouta Mourad Brioua
  https://doi.org/10.60664/jsm.2024.3031774
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  2 - طراحی و شبیه سازی تقویت‏کننده توان دوهرتی 20 وات در فرکانس 2.14 گیگاهرتر برای سیستمهای ارتباطی بی سیم
  شعبان رضائی برجلو حسین علی باقری
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  3 - توسعه فناوری سلول‌های خورشیدی کم هزینه با کارایی بالا با استفاده از نانوساختارهای پلاسمونیک
  مجتبی جمعیتی