هدف مقاله حاضر بررسی بهینه کردن مصرف توان و تأخیر در طراحی جمع‌کننده‌ی کامل بر پایه‌ی فناوری CMOS می‌باشد. ایده‌های مختلفی که در پیاده‌سازی مدارات جمع‌کننده وجود داشته، شبیه‌سازی‌شده اند. در پیاده‌سازی مدار سلول جمع‌کننده، در بعضی از مقالات، طبقات ورودی و در بعضی دیگر طبقات خروجی متفاوت است. در مقالات متفاوت از منطق‌های CMOS مکمل، نسبتی، ترانزیستور عبوری مکمل، گیت‌های انتقال و تابع اکثریت استفاده شده است. در این مقاله، یک جمع کننده‌ی کامل بر مبنای فناوری CMOS طراحی و توسط نرم‌افزار HSPICE شبیه‌سازی شده است. نتایج نشان می‌دهد که بهینه‌سازی مصرف توان و تأخیر در طراحی جمع‌کننده‌ی کامل با استفاده از روش پیشنهادی به شکل موثری انجام شده است و نتایج شبیه‌سازی، برتری جمع کننده‌ی پیشنهادی را نسبت به دیگر مدل‌ها نشان می‌دهد. Manuscript profile

در این مقاله از مدل کراس کوپل شده به‌منظور طراحی خازن منفی در فناوری CMOS استفاده شده و در ادامه به بررسی و مطالعه خازن منفی و کاربرد آن در مدارات گوناگون پرداخته شده است. مدار پیشنهادی در نرم‌افزار کیدنس با استفاده از فناوری 180 نانومتری به‌وسیله یک خازن 5 پیکو فاراد ترسیم گردیده است که اندازه تراشه با در نظر گرفتن خازن 5 پیکو فاراد برابر 80/152 میکرومتر در 40/61 میکرومتر می‌باشد. اندازه تراشه بدون خازن 32 میکرومتر در 40/61 میکرومتر است. در مرحله دوم، مدار پیشنهادی در نرم‌افزار ADS شبیه‌سازی شده و پاسخ فرکانسی و توان مصرفی آن بررسی شده است. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد که با خازن بار 5 پیکوفاراد تا فرکانس 500 مگاهرتز، خازن منفی در بازه 5/1- تا 20- پیکوفاراد ایجاد شده که توان مصرفی آن با منبع تغذیه 8/1 ولت در حدودmW 5/3 است. محدوده فرکانسی خازن منفی وسیع و مصرف توان نسبتاً پایین و ضریب کیفیت مناسب از مزیت‌های مدل پیشنهادی است. Manuscript profile

To the best of our knowledge, it is for the first time that
TERS system in near-infrared (NIR) spectrum is
reporting. The current study proposed a most favorable
atomic force microscopy (AFM) tip based on an
incorporated optimal grating structure close to the tip
apex. The optimized M2 factor and the best spatial
resolution are obtained as 5.9× 109 and 8.5 nm
respectively in the NIR range of radiation light. The
results show that the optimized grating can effectively
increase the amount of intensity of electric field and
improve spatial resolution within the nanoslit between the
AFM tip and substrate. The detection sensitivity of
materials can be done by our proposed AFM-TERS
system. The difference between the maximum
enhancement factors that are correlated to several under
test sample molecules show the selectivity potential of
the proposed AFM-TERS system in material detection
topic. Manuscript profile