نانوذرات موادی امیدبخش با کاربرد‌های مختلف هستند که اصلاح سطح آن‌ها یک تکنیک مهم برای توسعه‌ی این کارآیی‌ها می‌باشد. در این پژوهش یک نانوساختار جدید طی چهار مرحله سنتز شد که می‌تواند به منظور حذف آلاینده‌ها از پساب مورد استفاده قرار گیرد. نخست نانوذرات اکسید گرافن (GO) به روش هامر اصلاح‌شده سنتز و سپس با ترسیب هم‌زمان یون‌های فروس و فریک در یک محیط بازی بر سطح نانوذرات، اکسید گرافن‌، مغناطیسی گردید. پس از آن نانوذرات اکسید گرافن مغناطیسی (m-GO) با پلیمرهای ساکاریدی چیتوزان، با اتصال کووالانسی پوشش داده شدند. سپس نانوذرات اکسید گرافن مغناطیسی پوشش داده شده با چیتوزان (m-GO@Chi)، با روش اتصال عرضی به ترکیب بازشیف سیستئین-گلوتارآلدهید (CG) متصل شده و سطح آن‌ با اسیدآمینه‌ی گوگرددار سیستئین اصلاح شد (m-GO@Chi-Cys). بعد از آن فرآیند اصلاح سطح نانوذرات با استفاده از آنالیزهای شناسایی، بررسی شد. نتایج طیف‌سنجی FT-IR حاکی از آن بود که اصلاح سطح در هر مرحله موفقیت‌آمیز بوده و حضور گروه‌های عاملی اپوکسید، کربونیل، آمینو و تیول در سطح نانوذرات تایید شد. مطابق تصاویر FESEM، ذرات GO سنتز شده دو بعدی و با ضخامت میانگین 165-29 نانومتر بودند و پس از مغناطیسی شدن، نانوذرات اکسید آهن با اندازه‌ی میانگین 50-35 نانومتر در سطح GO مشاهده شد. جهت بررسی خواص مغناطیسی نانوذرات از آنالیز VSM استفاده شد. عدم وجود پسماند در نمودار مغناطیسی شدن نانوذرات و کاهش قابل اغماض در مغناطش اشباع نانوذرات m-GO@Chi-Cys در مقایسه با m-GO را نشان داد که به دلیل حضور لایه‌ی نازک چیتوزان بر روی ذرات اولیه است. Manuscript profile