در این تحقیق، پوشش‌‌دهی ذرات فوتوکاتالیستی تیتانیا بر روی کامپوزیت مغناطیسی SrFe12O19/SiO2 با موفقیت به روش سل- ژل انجام پذیرفت. بدین منظور، ابتدا ذرات هگزا فریت استرانسیم به عنوان هسته مغناطیسی سخت در این کامپوزیت، به روش هم‌رسوبی با استفاده از نسبت‌‌های مولی Fe3+/Sr2+، 11 و 12 و سپس انجام کلسیناسیون در دماهای مختلف تهیه گردید. دیده شد که ذرات تک‌فاز بلور هگزا فریت استرانسیم با بهره‌گیری از نسبت مولی Fe3+/Sr2+=12 و پس از کلسیناسیون در دمای 950 درجه سانتی‌‌گراد به دست می‌آیند. در مرحله بعدی، پوشش‌دهی سیلیس با استفاده از پیش ماده تترا اتیل اورتو سیلیکات (TEOS) و به روش استوبر انجام شد. در مرحله نهایی، پوشش‌‌دهی تیتانیا بر روی کامپوزیت SrFe12O19/SiO2 با استفاده از پیش‌ماده تیتانیم n-بوتوکساید (TNBT) حاصل گردید. کامپوزیت‌های تهیه شده با استفاده از الگوی پراش پرتو ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدانی (FESEM)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM)، طیف‌سنجی پراش انرژی پرتو ایکس (EDX) و مغناطیس‌سنج ارتعاشی (VSM) مشخصه‌یابی شدند. نتایج، ساختار هسته/ پوسته/ پوسته کامپوزیت SrFe12O19/SiO2/TiO2 را تأیید نمود. آنالیز خواص مغناطیسی نشان داد که مغناطش اشباع (Ms) پودر هگزا فریت استرانسیم به صورت emu/g 58 به دست آمده است که بر اثر پوشش‌‌دهی پی‌‌در‌‌پی پوشش‌‌های SiO2 و TiO2 ، این مقدار به ترتیب به emu/g 56 و emu/g 37 رسید. Manuscript profile