در این مقاله از مدل کراس کوپل شده به‌منظور طراحی خازن منفی در فناوری CMOS استفاده شده و در ادامه به بررسی و مطالعه خازن منفی و کاربرد آن در مدارات گوناگون پرداخته شده است. مدار پیشنهادی در نرم‌افزار کیدنس با استفاده از فناوری 180 نانومتری به‌وسیله یک خازن 5 پیکو فاراد ترسیم گردیده است که اندازه تراشه با در نظر گرفتن خازن 5 پیکو فاراد برابر 80/152 میکرومتر در 40/61 میکرومتر می‌باشد. اندازه تراشه بدون خازن 32 میکرومتر در 40/61 میکرومتر است. در مرحله دوم، مدار پیشنهادی در نرم‌افزار ADS شبیه‌سازی شده و پاسخ فرکانسی و توان مصرفی آن بررسی شده است. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد که با خازن بار 5 پیکوفاراد تا فرکانس 500 مگاهرتز، خازن منفی در بازه 5/1- تا 20- پیکوفاراد ایجاد شده که توان مصرفی آن با منبع تغذیه 8/1 ولت در حدودmW 5/3 است. محدوده فرکانسی خازن منفی وسیع و مصرف توان نسبتاً پایین و ضریب کیفیت مناسب از مزیت‌های مدل پیشنهادی است. پرونده مقاله