در تحقیق حاضر کامپوزیت سطحی Al-SiC-B
4C با مقادیر مختلف B
4C بر روی سطح آلیاژ AA332 پیش نشت شد. نمونهها به وسیله فرآیند GTAW ذوب و کامپوزیت سازی سطحی شدند. بررسیهای ریزساختاری به وسیله میکروسکوپ نوری (OM) و الکترونی روبشی (SEM) نشان دادند ک
چکیده کامل
در تحقیق حاضر کامپوزیت سطحی Al-SiC-B
4C با مقادیر مختلف B
4C بر روی سطح آلیاژ AA332 پیش نشت شد. نمونهها به وسیله فرآیند GTAW ذوب و کامپوزیت سازی سطحی شدند. بررسیهای ریزساختاری به وسیله میکروسکوپ نوری (OM) و الکترونی روبشی (SEM) نشان دادند که فازهای تقویت کننده SiC و B
4C تمایل بالایی برای قرارگیری بر روی مرزدانهها و در مجاورت آنها دارند. نتایج نشان داد که با افزایش میزان B
4C میل به تشکیل Al
3B
4C و Al
4C
3 افزایش مییابد. با افزایش میزان B
4C سختی لایه کامپوزیتی تا 182 ویکرز، بیش از دو برابر افزایش یافت. برخلاف سختی، مقاومت به سایش با افزایش میزان B
4C رفتار متفاوتی نشان داد. نتایج آزمون سایش پین بر روی دیسک نشان داد که وجود B
4C در هر صورت، منجر به کاهش نرخ سایش می گردد؛ اما پس از طی مسافت 1000 متر با افزایش میزان B
4C نرخ سایش افزایش یافت. با بررسی سطوح فرسوده توسط SEM مشخص شد که مکانیزم سایشی با افزایش B
4C از چسبان به خراشان تغییر میکند.
پرونده مقاله