فلز مس به دلیل ویژگی­های مطلوب مکانیکی و الکتریکی کاربردهای صنعتی بسیاری دارد. اگر چه فلز مس و آلیاژهای آن عموما به عنوان مواد مقاوم در برابر خوردگی شناخته شده­اند، ولی با توجه به محیطی که در آن بکار گرفته می­شوند، هنوز انواع گوناگونی از خوردگی را متحمل می­شوند که عموما کاربرد عملی آن­ها را محدود می­کند. روشی موثر که می­تواند این مشکل را حل کند، اصلاح سطح با استفاده از فیلم های لایه نازک خود مجموعه‌ساز است. تک لایه­های خودمجموعه­ساز سامانه­های ساده و انعطاف­پذیری هستندکه به عنوان یک لایه­ ایزوله عمل کرده و از نفوذ کلرید به سطح جلوگیری می­کند. در این پژوهش، دو شیف باز N وN’- بیس (سالیسیدن)-1 و 3 - پروپان دی آمین (شیف باز1) و N وN’- بیس (4- متوکسی سالیسیدن)-1 و 3 - پروپان دی آمین(شیف باز2) به صورت لایه نازک خود مجموعه ساز به عنوان بازدارنده خوردگی مس در محلول اسیدکلریدریک 5/0 مولار سنتز و بازده بازدارندگی آن­ها به وسیله آزمون­های پلاریزاسیون پتانسیودینامیکی و طیف نگاری امپدانس الکتروشیمیایی، بررسی شد. نتایج آزمون پلاریزاسیون نشان داد که این تک­ لایه­های خود مجموعه ساز به عنوان باردارنده­های مختلط عمل می­کند و هر دو فرآیند کاتدی و آندی را متوقف می­سازد. افزایش قطر منحنی ها در              اندازه گیری­های امپدانس نشان می­دهد که تک لایه ها به عنوان بازدارنده­های خوبی عمل می­کنند. نتایج بدست آمده از روش پلاریزاسیون و امپدانس از مطابقت مطلوبی برخوردارند و نشان می­دهند که با افزایش غلظت بازدارنده، بازدارندگی تا 95 درصد افزایش می­یابد. ورود گروه متوکسی در حلقه بنزن شیف باز نیز در کل باعث افزایش بازده بازدارندگی شیف باز شد که می­تواند ناشی از اثرات دهندگی الکترون و اثرات آب گریزی این گروه باشد. پرونده مقاله